domingo, 8 de julio de 2012

Samsung desarrolla una nueva memoria DRAM

Samsung desarrolla una nueva memoria DRAM | The Inquirer ES

La empresa surcoreana Samsung ha creado un nuevo chip de memoria DRAM que permite aumentar la velocidad de procesamiento de datos y trabaja de forma más eficiente. Se trata del primer módulo DDR4 DRAM fabricado con tecnología de 30 nanómetros, y según el gigante surcoreano puede transferir datos a una velocidad de 4 gigabits por segundo. Por otro lado, en el plano de la energía permite un ahorro del 40% frente a los modelos de chips con DDR3 DRAM que también alcanzan esa elevada velocidad. Hong Wan-hoon, president ejecutivo de Samsung, ha comentado que el nuevo chip de memoria tendrá gran utilidad en los servidores y centros de datos, y también será importante desde el punto de vista ecológico. El año que viene está previsto que el nuevo chip se empiece a expandir de forma masiva en el mercado, y desde la empresa asiática también han desvelado que desean que en lograr su estandarización en agosto por parte del Consejo de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos Ensamblados.

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